1. **QLC NAND Flash 技術:**
- QLC NAND Flash 記憶體每個儲存單元有四個位元，相較於 TLC（三層儲存單元）Flash 擁有更高的儲存容量。
- 對於需要大量儲存容量的應用（如媒體和大數據應用）非常有利。
- QLC 提供更高的儲存密度，使單個晶片上能存儲更多數據。
- 然而，QLC 的耐用性較低，抹寫次數約為 500 到 1000 次，相較於 TLC 的 1500 到 3000 次。
2. **QLC 的優點和缺點:**
- **優點:**
- 儲存容量大（可達 1Tb）。
- 成本較低，相較於 TLC 更具優勢。
- **缺點:**
- 耐久度最低，抹寫週期約 500 到 1000 次。
- 隨機存取速度較低（若無 SLC Cache 技術）。
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