[文盲打工仔] 凡事毋須專精 而在於重點知悉

半導體製程技術的沿革是一個漫長的過程，隨著科技的進步和需求的變化而不斷演進。以下是一些重要的半導體製程技術里程碑以及各家公司在其中的一些代表性技術：

1. **NMOS（負型金屬氧化物半導體）**：
   - 1960年代中期至1970年代初期，NMOS是第一代的半導體製程技術，由多家公司（包括Intel、Fairchild、Texas Instruments等）開發。它主要用於製造早期的微處理器和記憶體。

2. **CMOS（互補金屬氧化物半導體）**：
   - 1970年代中期至1980年代初期，CMOS開始取代NMOS成為主流製程技術。它提供了更低的功耗和更高的積體度，成為當時的主流技術。
   - 代表性公司：Intel、IBM、TI、TSMC等。

3. **深亞微米製程（Deep Sub-Micron Process）**：
   - 1990年代至2000年代初期，隨著晶片的尺寸不斷縮小，製程技術進入了深亞微米時代。這一時期的製程技術主要集中在0.25μm、0.18μm、0.13μm等製程節點。
   - 代表性公司：Intel、AMD、IBM、TSMC、GlobalFoundries等。

4. **FinFET（鰭式場效應晶體管）**：
   - 2000年代中期至2010年代初期，FinFET技術開始被廣泛應用。這種三維晶體管結構提供了更好的控制和電氣特性，使得製程技術得以繼續向前發展。
   - 代表性公司：Intel、TSMC、Samsung、GlobalFoundries等。

5. **GAA（全包圍式閘極）**：
   - 最近幾年，GAA技術開始受到關注。這種技術將閘極完全包圍在通道周圍，提供了更高的性能和能源效率。
   - 代表性公司：Intel、TSMC、Samsung等。

以上列出的製程技術沿革只是其中的一部分，並不能涵蓋所有的技術和發展。每個技術都在不斷發展演進，以滿足不斷變化的市場需求和技術挑戰。