[文盲打工仔] 凡事毋須專精 而在於重點知悉

高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影系統設備是一種先進的半導體製造設備，用於製作奈米級晶片結構。這種技術是極紫外光（EUV）微影技術的升級版，擁有更高的數值孔徑（NA，Numerical Aperture），能夠進一步提升微影系統的解析度，支持製造更小、更精密的晶體管和電路結構。以下是它的關鍵特點和作用：

1. 高數值孔徑的定義：

• **數值孔徑（NA）**是光學系統中衡量解析度的重要參數，表示光學系統收集光線的能力。
• 高NA EUV微影系統的數值孔徑由傳統的0.33提升至0.55，大幅提高了分辨能力。

2. 使用的光源：

• 高NA EUV系統仍然使用波長13.5奈米的極紫外光。
• 這種短波長光能實現極高的解析度，適合製作2奈米甚至更小節點的晶片。

3. 技術突破：

• 更小特徵尺寸：高NA EUV能製作更小的線寬，推動摩爾定律繼續向前發展。
• 更高精度：能製造出更複雜、更密集的電路設計，降低功耗並提升晶片性能。
• 新鏡片技術：高NA需要更大、更精密的鏡片和光學系統，實現更高解析度的圖案轉印。

4. 應用範圍：

• 半導體製造：適用於先進製程節點（如2奈米、1.4奈米及以下）的晶片製造。
• 高效能運算（HPC）和人工智能（AI）：支撐高效能晶片需求，如CPU、GPU和專用AI處理器。

5. 挑戰與未來發展：

• 成本高昂：高NA EUV設備極為昂貴，僅少數大廠能負擔（如台積電、三星和英特爾）。
• 技術難度：需要精密光學和材料技術的配合，並解決新製程帶來的良率挑戰。

總結：

高NA EUV微影系統是推動半導體技術向更高密度、更高效能邁進的核心工具，代表了當前光刻技術的巔峰。隨著該技術的廣泛應用，半導體產業將迎來更高效能和更低功耗的晶片世代。