這樣的規格 並非一般記憶體會使用的規格，而是屬於非常高端且先進製程的 DRAM 設計。
原因如下：
-
單元面積小於 0.0019 平方微米
- 這表示 DRAM 記憶體單元的製程節點已達到極小尺寸（例如 10 奈米以下）。目前一般市售的 DRAM 產品大多仍在 14~18 奈米製程範圍內，尚未達到如此極小的面積。
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記憶體密度大於 0.288 千兆位/mm²
- 這代表記憶體密度非常高，屬於先進高容量 DRAM 設計。一般用於消費級市場的記憶體密度通常未達到如此高的水準。
適用場合
這種高密度、高效率的 DRAM 設計較常見於：
- 高效能運算（HPC）
- 資料中心伺服器
- 先進 AI 加速器晶片
- 5G 通訊設備
- 下一代高階繪圖處理器（GPU）
因此，這樣的 DRAM 規格屬於技術前沿，不會是一般消費性記憶體會使用的標準規格。
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